Qualcomm ประกาศเปิดตัวชิป SoC รุ่นใหม่ล่าสุดอย่าง Snapdragon 835 ในงาน CES 2017 เผยมาพร้อมมาตรฐานการผลิตขนาด 10 นาโนเมตร ภายในประกอบไปด้วย CPU Kryo 280 , GPU Adreno 540 และ X16 LTE ประสิทธิภาพดีกว่ารุ่นก่อน 27% ประหยัดพลังมากกว่าเดิมถึง 40%
มังกรแดงแห่งปี 2017 ในที่สุด Qualcomm ก็ได้เปิดตัวชิป SoC คู่ใจอุปกรณ์ Android อย่าง Snapdragon 835 แบบเป็นทางการแล้ว โดยเปิดตัวในงาน CES 2017 ที่กำลังดำเนินอยู่นี้เลย และสำหรับผู้ผลิตสมาร์ทโฟนระดับเรือธงหลายแบรนด์ ก็ได้ประกาศเตรียมใช้ชิปตัวนี้แล้วด้วย เช่น Samsung Galaxy S8 , Xiaomi Mi6 และ LG G6 เป็นต้น
Qualcomm Snapdragon 835 เป็นชุดชิปเซ็ตประมวลหรือ SoC ที่พัฒนาต่อจาก Snapdragon 820 และ 821 สองรุ่นก่อนหน้า ที่ใช้สถาปัตยกรรมการผลิตขนาด 10 นาโนเมตร LPE แล้วด้วย (ผลิตโดย Samsung) จากขนาดเดิม 14 นาโนเมตร หรือเล็กกว่าเดิม 35% ซึ่งก็ส่งผลให้ตัวชิปเช็ต ลดการใช้พลังงานน้อยกว่าเดิมถึง 40% แต่กลับมีประสิทธิภาพกว่ารุ่นก่อน 27%
ตัวส่วนชิปเซ็ตภายในก็ประกอบไปด้วย CPU Kryo 280 64-bit มี 8 แกน หรือ Octa-core ช่วยประมวลผลในตัว แบ่งเป็น Kryo 280 Quad-core @2.45GHz Performance สำหรับประมวลหนัก ๆ และ Kryo Quad-core 280 @1.90GHz Efficiency สำหรับประมวลใช้งานทั่วไป ใช้ชิปกราฟฟิก Adreno 540 ที่รองรับทั้ง OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan API และ DirectX 12 ที่จัดเต็มเพื่อแสดงผลในเทคโนโลยี VR กับ AR โดยเฉพาะ
Snapdragon 835 มาพร้อม Dual 14-bit Spectra 180 ISP รองรับกล้องความละเอียด 32 ล้านพิกเซล และกล้องคู่ความละเอียด 16 ล้านพิกเซล สามารถบันทึกวิดีโอ 4K ความเร็ว 30fps และเล่นวิดีโอ 4K ความเร็ว 60fps ได้
อีกทีเด็ดของ Snapdragon 835 คือ Snapdragon X16 LTE ระบบการเชื่อมต่อความเร็วสูง ในความเร็วระดับ 1000Mbps หรือ 1Gbps กันเลย และรองรับ 802.11ac Wi-Fi , 2×2 MU-MIMO , Bluetooth 5.0
สุดท้ายนี้ Snapdragon 835 รองรับระบบชาร์จไว Quick Charge 4.0 ซึ่งสามารถชาร์จพลังงานได้เร็วขึ้น 20% ส่วนจะมีอุปกรณ์พกพารุ่นไหนบ้างที่ใช้ชิปเช็ตนี้แล้ว หรือเตรียมใจเร็ว ๆ นี้ รอดูช่วงครึ่งแรกของปีนี้เลยครับ
สำหรับรายละเอียดข้อมูล Snapdragon 835 ที่เหลือ สามารถดูได้ที่ Qualcomm.com
ที่มา : Anandtech
